SK海力士宣布业内首款4D闪存

本文摘要:正在美举行的FlashMemorySummit首日早已完结,亮点颇多。Keynote环节,倒数第二个出场(分列在我国的长江存储前)的是SK海力士,它在NAND市场的全球份额名列第五,DRAM份额全球第二。首先是3DNAND的技术路线自由选择,SK海力士称之为,CTF(ChargeTrapFlash,电荷捕捉型)比FloatingGate(浮栅型)存储单元面积更加小、速度更加慢、更加轻巧(P/E次数多)。

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正在美举行的FlashMemorySummit首日早已完结,亮点颇多。Keynote环节,倒数第二个出场(分列在我国的长江存储前)的是SK海力士,它在NAND市场的全球份额名列第五,DRAM份额全球第二。首先是3DNAND的技术路线自由选择,SK海力士称之为,CTF(ChargeTrapFlash,电荷捕捉型)比FloatingGate(浮栅型)存储单元面积更加小、速度更加慢、更加轻巧(P/E次数多)。

只不过三星从2013年的第一代V-NAND3D存储器就开始用于CTF了,东芝/西数(闪迪)的BiCS亦是如此。当然,美光/Intel还是坚决浮栅,不过这推倒无所谓,却是他们有更加得意的3DXpoint(基于热力学内存,还一说是ReRAM磁阻式内存)。

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接下来,SK海力士宣告发售了全球首款4D存储器。从现场得出的技术展示来看,4D存储器和此前长江存储的Xtacking十分相似,只不过外围电路(PUC,Peri.Circuits)在存储单元下方,益处有三点,一是芯片面积更加小、二是处置工时延长、三是成本减少。


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